特許
J-GLOBAL ID：201103074623200717
半導体混晶膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-172876
公開番号（公開出願番号）：特開2001-351862
特許番号：特許第3378912号
出願日： 2000年06月09日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の半導体材料からなる基板上に、第2の半導体材料からなる薄膜をエピタキシャル成長によって形成した後、この薄膜上に金属膜を形成し、これらを熱処理することにより、前記第1の半導体材料、前記第2の半導体材料、及び前記金属膜の構成元素間の相互拡散を通じて、前記第1の半導体材料からなる基板と前記第2の半導体材料からなる薄膜との界面に、前記第1の半導体材料と前記第2の半導体材料とからなる混晶膜を形成することを特徴とする、半導体混晶膜の形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/20
, H01L 21/203 Z
