特許

J-GLOBAL ID：201103074627057552

ナノ秒パルス電界を用いたアポトーシスなど誘導方法

発明者： 安部 恵祐 ,  光武 和典 ,  秋山 秀典 ,  勝木 淳
出願人/特許権者： 国立大学法人 熊本大学
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-095651
公開番号（公開出願番号）：特開2011-224102
出願日： 2010年04月19日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】ナノ秒パルス電界の繰り返し周波数を制御するうことでアポトーシスなどの細胞死を引き起こすことを可能とする。【解決の手段】組織中の標的細胞に対して、ナノ秒パルス電界を印加して、アポトーシスなどの細胞死を誘導する方法であって、前記ナノ秒パルス電界は、0.5~250KV/cmで、1~300nsのパルス幅で、繰り返し周波数は0.01pps超過0.5pps未満であることを特徴とするナノ秒パルス電界を用いたアポトーシスなど細胞死誘導方法、繰り返し周波数は50pps以上であることを特徴とするナノ秒パルス電界を用いたアポトーシスなど細胞死誘導方法、前記ナノ秒パルス電界複数回を1回としたクラスターとして印加して、クラスターの繰り返し周波数が0.01回/秒超過0.5回/秒未満であることを特徴とするナノ秒パルス電界印加シークエンスを用いたアポトーシスなど細胞死誘導方法を特徴とする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

組織中の標的細胞に対して、ナノ秒パルス電界を印加して、 アポトーシスなどの細胞死を誘導する方法であって、 前記ナノ秒パルス電界は、0.5~250KV/cmで、1~300nsのパルス幅で、 繰り返し周波数は0.01pps超過0.5pps未満であることを特徴とする ナノ秒パルス電界を用いたアポトーシスなど細胞死誘導方法。

IPC (1件)：

A61N 1/32

FI (1件)：

A61N1/32

Fターム (5件)：

4C053JJ02 ,  4C053JJ03 ,  4C053JJ04 ,  4C053JJ24 ,  4C053JJ26

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特許2009-532077号公報