特許

J-GLOBAL ID：201103074720367740

半導体装置

発明者： 角田 哲次郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 諸田 英二
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-129345
公開番号（公開出願番号）：特開平2-307274
出願日： 1989年05月23日
公開日（公表日）： 1990年12月20日
請求項（抜粋）：

【請求項1】(a)半導体基板の一方の主面に露出する面を有し、1層又は不純物濃度の異なる複数層の一導電型半導体層からなる第1領域と、(b)半導体基板の前記一方の主面から選択的に形成される反対導電型半導体層からなる第2領域と、(c)第2領域の前記一方の主面からこの領域内に選択的に形成される一導電型半導体層からなる第3領域と、(d)第1領域と第3領域に挟まれ、前記一方の主面に露出し、且つ第2領域の表面層を含む反対導電型半導体表面層からなるチャネル形成領域と、(e)前記チャネル形成領域とゲート絶縁膜を挟んで対向するゲート電極と、(f)第2及び第3領域上に形成され、且つ第2領域とは介在する層を有しないでオーミック接合をすると共に、第3領域とは基板上に形成した抵抗層又は第3領域との間に非オーミック接合を形成する介在層を介在させ、通電時第3領域との間に電圧降下が生ずるようにして電気接続する金属電極膜とを、具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78

FI (1件)：

H01L 29/78 321 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-244777
  
• 特開昭62-266871
  
• 特開昭60-027170