特許
J-GLOBAL ID：201103074792302723
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 和秀
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-113772
公開番号（公開出願番号）：特開2001-298050
特許番号：特許第4244096号
出願日： 2000年04月14日
公開日（公表日）： 2001年10月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】半導体素子の第1の面に画像素子部および電極が形成され、前記第1の面の前記電極を除く領域で前記画像素子部を覆うように透明な絶縁樹脂層が形成され、開口部を有する樹脂基板に形成された配線金属と前記電極とがバンプを介して接合され、前記配線金属と前記バンプとの接合部が封止樹脂で封止され、前記画像素子部が前記樹脂基板の開口部に対向し、前記樹脂基板上に外部端子が設けられ、前記封止樹脂は、前記透明な絶縁樹脂層と接しており、前記封止樹脂と前記透明な絶縁樹脂層とにより前記半導体素子の画像素子側全面が被覆されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01L 27/146 ( 200 6.01)
, H01L 27/14 ( 200 6.01)
H01L 21/60 311 S
, H01L 27/14 A
, H01L 27/14 D
