光起電力素子及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲角▼谷浩
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-080434
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277767
特許番号：特許第4400945号
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】透光性導電膜と、前記透光性導電膜上に形成された非晶質SiX:H層からなるp型の第1半導体層と、該第1半導体層上に形成された非晶質SiX:H層からなるp型の第2半導体層と、該第2半導体層上に形成されたi型半導体層と、を有する光起電力素子において、前記透光性導電膜の水素量が5at%以下であり、前記XをC,O,Nの何れかとする前記非晶質SiX:H層であり、前記第1半導体層は前記第2半導体層より前記Xの量が多く、前記第1半導体層は前記第2半導体層より水素量が少ないことを特徴とする光起電力素子。

IPC (1件)：