電流によって誘起されるスピン運動量移動に基づいた、高速かつ低電力な磁気デバイス

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：笹島富二雄 , 小川護晃 , 荒木邦夫
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-531338
公開番号（公開出願番号）：特表2011-502354
出願日： 2008年10月30日
公開日（公表日）： 2011年01月20日
要約：

メモリセル用の磁気デバイスの磁気領域における磁化方向及び/又はヘリシティを、スピン偏極電流を用いて制御及びスイッチングするための、高速かつ低電力な方法に関する。磁気デバイスは、固定された磁気ヘリシティ及び/又は磁化方向を含む参照磁化層と、可変である磁気ヘリシティを含む自由磁化層と、を含んで構成される。固定磁化層及び自由磁化層は、非磁性層を介して分離されることが好ましく、また、参照層は、参照層に対して垂直な容易軸を含む。情報を書き込むための磁気メモリとして機能させるためには、デバイスに電流を印加することにより、デバイスの磁性状態を変化させるトルクを誘起させる。デバイスの磁性状態に依存する抵抗値が測定され、これにより、デバイスに格納された情報が読み出される。【選択図】図12

請求項（抜粋）：

磁化方向が固定された磁化ベクトルを含むピン止め磁化層と、磁化方向が可変である少なくとも1つの磁化ベクトルを含む自由磁化層と、前記自由磁化層と前記ピン止め磁化層とを空間的に分離する第1の非磁性層と、磁化方向が固定された磁化ベクトルを含む読出磁化層と、前記自由磁化層と前記読出磁化層とを空間的に分離する第2の非磁性層と、を含んで構成され、前記第2の非磁性層は、絶縁体を含む磁気デバイス。

IPC (3件)：

H01L 27/105 , H01L 21/824 , H01L 43/08

FI (2件)：

H01L27/10 447 , H01L43/08 Z

Fターム (24件)：

4M119AA03 , 4M119BB01 , 4M119CC05 , 4M119DD10 , 4M119DD17 , 4M119DD22 , 4M119KK05 , 4M119KK14 , 5F092AB06 , 5F092AC12 , 5F092AD23 , 5F092AD25 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB37 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BB45 , 5F092BC42 , 5F092BC46

引用特許：

審査官引用 (7件)

記憶機能を有する磁気スピン極性化および磁化回転装置および当該装置を用いた書き込み方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-375090 出願人：コミツサリアタレネルジーアトミーク
記憶素子及びメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-318464 出願人：ソニー株式会社
電流によって誘起されたスピンモーメント移行をベースとした高速かつ低電力の磁気デバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願2006-524031 出願人：ニューヨーク・ユニバーシティ, アンドリュー・ケント, エンリケ・ゴンザレス・ガルシア, バルバロス・オジルマス

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