特許
J-GLOBAL ID：201103075095715005

非線形素子、表示装置、および電子機器

発明者：
山崎 舜平

山崎 舜平 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-238534
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119667
出願日： 2010年10月25日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：
【課題】逆方向飽和電流の低い非線形素子(例えば、ダイオード)を提供する。【解決手段】例えば、基板上に設けられた第1の電極と、前記第1の電極上に接して設けられ、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が5×1019atoms/cm3以下である酸化物半導体膜と、前記酸化物半導体膜上に接して設けられた第2の電極と、前記第1の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第2の電極を覆うゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、前記第1の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第2の電極を介して対向する複数の第3の電極と、を有し、前記複数の第3の電極は、前記第1の電極または前記第2の電極と接続されている非線形素子を提供する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた第1の電極と、 前記第1の電極上に接して設けられ、二次イオン質量分析法で検出される水素濃度が5×1019atoms/cm3以下である酸化物半導体膜と、 前記酸化物半導体膜上に接して設けられた第2の電極と、 前記第1の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第2の電極を覆うゲート絶縁膜と、 前記ゲート絶縁膜に接して設けられ、前記第1の電極、前記酸化物半導体膜、及び前記第2の電極を介して対向する複数の第3の電極と、を有し、 前記複数の第3の電極は、前記第1の電極または前記第2の電極と接続されていることを特徴とする非線形素子。
IPC (1件)：
H01L 29/786
FI (6件)：
H01L29/78 618B ,  H01L29/78 626A ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 623A
Fターム (68件)：
5F110AA06 ,  5F110AA07 ,  5F110BB01 ,  5F110CC09 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE14 ,  5F110EE15 ,  5F110EE24 ,  5F110EE29 ,  5F110EE30 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF28 ,  5F110FF30 ,  5F110FF35 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK21 ,  5F110HK22 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HM04 ,  5F110HM12 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN25 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN71 ,  5F110NN72 ,  5F110QQ19
引用特許：
審査官引用 (8件)
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