特許
J-GLOBAL ID：201103075234896877
面発光半導体レーザおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山川 政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-009521
公開番号（公開出願番号）：特開2000-208868
特許番号：特許第3532433号
出願日： 1999年01月18日
公開日（公表日）： 2000年07月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1導電形を有する第1の基板上に第1導電形の第1の分布帰還型反射鏡を形成する工程と、前記第1の分布帰還型反射鏡上にインジウムからなる金属膜を形成する工程と、第2の基板上に第2導電形の第2の分布帰還型反射鏡を形成する工程と、前記金属膜表面と前記第2の分布帰還型反射鏡表面とを当接させた状態で前記金属膜を加熱して融解させることで、前記金属膜と前記第2の分布帰還型反射鏡を貼り合わせる工程と、前記貼り合わされた前記金属膜に側面からヒ素を拡散させてインジウムとヒ素の化合物による半導体層からなる活性層を形成し、この活性層が前記第1の分布帰還型反射鏡と前記第2の分布帰還型反射鏡とに挾まれた状態とする工程と、前記第2の基板を除去する工程と、前記第1の基板裏面および前記第2の分布帰還型反射鏡に第1および第2の電極を形成する工程とを少なくとも備えたことを特徴とする面発光半導体レーザの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01S 5/183
, H01L 33/00 A
