特許
J-GLOBAL ID：201103075246886257
低雑音集積増幅回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
原 謙三
, 木島 隆一
, 圓谷 徹
, 金子 一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-508585
特許番号：特許第3598289号
出願日： 2000年05月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】コモンエミッタのバイポーラトランジスタ(T1)、又は、コモンソースの電界効果トランジスタを備えた入力段を有する低雑音集積増幅回路の製造方法であって、小型化のために以下の各ステップが遂行されるものであり、a)最初に、第1ステップでは、増幅器回路(1)の上流に接続された伝送素子(3)の出力インピーダンス(ZA)の実部に対する、増幅器回路(1)のノイズマッチングが次の特徴点により実行され、上記特徴点は、増幅器回路(1)の製造に関するプロセスパラメータの第1の決定、又は、1つ以上の集積された各構成要素の幾何学パラメータ(rb)若しくは増幅器回路(1)をなす各構成要素の、増幅器回路の雑音指数に影響を及ぼすパラメータの大きさの第1の決定、及び、コレクタ電流若しくはドレイン電流の第1の決定といった、増幅器回路(1)の雑音指数に影響を及ぼすパラメータの第1の決定により、増幅器回路における、生成抵抗(RG)の実部に依存する雑音指数(F(RG))内に存在する抵抗値の範囲が、該増幅器回路(1)で期待される予め設定された雑音指数(Fdesired)よりも小さく、かつ、上記出力インピーダンス(ZA)の実部の値が上記範囲内になることであり、上記増幅器回路(1)のパラメータの第1決定において、生成抵抗の実部の関数として得られる雑音指数が最小となる場合の雑音指数である最適の雑音指数(Fopt)が、上記予め設定された雑音指数(Fdesired)以下となり、かつ、上記雑音指数(F(RG))が上記予め設定された雑音指数(Fdesired)以下の値となる場合に生成抵抗の実部の値がとる範囲内にて、上記雑音指数(F(RG))が最適の雑音指数(Fopt)である場合の生成抵抗である最適の生成抵抗(RGopt)が、上記出力インピーダンス(ZA)に対応するという条件を満たす場合に、上記最適の雑音指数(Fopt)及び該最適の雑音指数(Fopt)に関連づけられた上記最適の生成抵抗(RGopt)が決定され、該最適の雑音指数(Fopt)及び最適の生成抵抗(RGopt)に関連づけられたパラメータが、増幅回路(1)を実現するために用いられ、一方、上記最適の雑音指数(Fopt)及び最適の生成抵抗(RGopt)が決定されなかった場合には、上記条件を満たすように、上記増幅器回路(1)の雑音指数に影響を及ぼすパラメータを、上記第1の決定で決定されたパラメータとは異なる他のパラメータに決定し、b)続いて、第2ステップでは、増幅器回路(1)の入力インピーダンス(ZE)の、上記出力インピーダンス(ZA)に対するパワーマッチングは、トランジスタ(T1)のコレクタの実際の負荷(ZL)が、ミラー効果を考慮して、上記出力インピーダンス(ZA)の複素共役に等しい入力インピーダンス(ZE)を発生させる複素電圧ゲインを生じるような方法により選択される低雑音集積増幅回路の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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