特許

J-GLOBAL ID：201103075277494225

薄膜形成用材料

発明者： 林 博 光 ,  尾 野 直 紀
出願人/特許権者： 三井金属鉱業株式会社
代理人 (3件)： 佐藤 一雄 ,  小野寺 捷洋 ,  中村 行孝
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-084431
公開番号（公開出願番号）：特開2000-273622
特許番号：特許第3957917号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】合計量が酸化物換算で20重量%以下のNbまたはNbおよびTaと、残部SnO2および不可避的不純物とからなる、1450°C以上で焼結したSnO2系焼結体からなり、その焼結密度が4.0g/cm3以上であることを特徴とする、薄膜形成用材料。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  C23C 14/08 ( 200 6.01) ,  G09F 9/30 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 14/34 A ,  C23C 14/08 D ,  G09F 9/30 337

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特公平5-042763
  
• 特開昭60-065760
  
• 特開平4-228466
  
• 特開昭50-018505
  

審査官引用 (4件)

• 特公平5-042763
  
• 特開昭60-065760
  
• 特開平4-228466
  
• 特開昭50-018505