特許
J-GLOBAL ID：201103075329129440
光電変換素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
新実 健郎 (外1名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-077129
公開番号（公開出願番号）：特開平2-253665
出願日： 1989年03月27日
公開日（公表日）： 1990年10月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の導電型の半導体材料からなるコレクタ領域と、前記コレクタ領域に対し、第1のPN接合部を介して形成される第2の導電型の半導体材料からなるベース受光部領域と、前記ベース受光部領域に対し、第2のPN接合部を介して形成される第1の導電型の半導体材料からなるエミッタ領域とを備えてなるホト・トランジスタ部と、前記第1の導電型の半導体材料からなるコレクタ領域と、前記コレクタ領域に対し、第1のPN接合部を介して形成される第2の導電型の半導体材料からなる第1のベース領域と、前記第1のベース領域に対し、第2のPN接合を介して形成される第1の導電型の半導体材料からなるエミッタ領域と、前記第1のベース領域から間隔を隔てて位置するベース・コンタクト領域と、前記第1のベース領域とベース・コンタクト領域との間に形成される第2のベース領域と、前記第2のベース領域内に形成される第1の導電型を有するゲート領域とを備えてなるベース変調形バイポーラ・トランジスタ部とからなり、前記ホト・トランジスタ部におけるコレクタ領域と、前記ベース変調形バイポーラ・トランジスタ部におけるコレクタ領域とが互いに共有するものからなり、前記ホト・トランジスタ部におけるエミッタ領域と、前記ベース変調形バイポーラ・トランジスタ部におけるベース・コンタクト領域とをダーリントン接続してなることを特徴とする光電変換素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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