特許
J-GLOBAL ID：201103075495743237
SAWデバイスの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
岩橋 文雄
, 内藤 浩樹
, 永野 大介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-384345
公開番号（公開出願番号）：特開2003-188669
特許番号：特許第3818147号
出願日： 2001年12月18日
公開日（公表日）： 2003年07月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 表面にインターディジタルトランスデューサ及びこのインターディジタルトランスデューサに接続した第1接続電極を有する圧電基板の前記インターディジタルトランスデューサ及び前記第1接続電極が設けられていない部分を第1絶縁体で被覆する第1の工程と、次に、前記第1絶縁体上に前記第1接続電極と電気的に接続する第2接続電極及び前記第2接続電極と接続すると共に前記インターディジタルトランスデューサ、前記第1及び前記第2接続電極を囲む金属パターンを形成する第2の工程と、次いで前記第2接続電極の所定部分及び前記インターディジタルトランスデューサの外周部を覆う第2絶縁体を設ける第3の工程と、その後前記第2絶縁体の上及び前記インターディジタルトランスデューサの上方空間を覆うように第3絶縁体を作製する第4の工程と、次に前記金属パターンを用いてメッキ法により前記第2接続電極上に第3接続電極を設ける第5の工程と、前記圧電基板を前記金属パターンの上から切断する第6の工程とを備え、前記金属パターンを構成する金属は前記第1接続電極を構成する金属よりも電気抵抗が小さいものを用いるSAWデバイスの製造方法。
IPC (3件)：
H03H 3/08 ( 200 6.01)
, H03H 9/145 ( 200 6.01)
, H03H 9/25 ( 200 6.01)
H03H 3/08
, H03H 9/145 D
, H03H 9/25 A
