特許
J-GLOBAL ID：201103075604113001
タンタル酸化膜を備えたキャパシタ製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
八田 幹雄
, 野上 敦
, 奈良 泰男
, 齋藤 悦子
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-344531
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200889
特許番号：特許第3914362号
出願日： 1999年12月03日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 (a)半導体基板の活性領域に電気的に連結されるポリシリコンからなる下部電極を形成する段階と、
(b)前記下部電極の表面にシリコン酸化物、シリコン窒化物及びこれらの組合せよりなる群から選択される成分を含む前処理膜を形成する段階と、
(c)Ta前駆体を用いて440〜500°Cの温度範囲から選択される第1温度で蒸着された第1誘電膜と前記温度範囲から選択されて前記第1温度よりも低い第2温度で前記第1誘電膜上に蒸着された第2誘電膜とからなる誘電膜を前記前処理膜上に形成する段階と、
(d)前記誘電膜を酸素雰囲気で熱処理する段階とを含むことを特徴とする半導体メモリ装置のキャパシタ製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/8242 ( 200 6.01)
, H01L 27/108 ( 200 6.01)
