特許

J-GLOBAL ID：201103075632700516

基体に材料のパターンをデポジットする装置及びその方法及びその方法により製造された吸収物品

発明者： ティモシー アール ハインデル ,  マイケル ジェイ ガーヴィー ,  ダニエル ディー ディック ,  リチャード エフ ケラー ,  メアリー ピー ジョーダン ,  アレン エフ シュラインツ
出願人/特許権者： キンバリー クラーク ワールドワイド インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外7名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-154383
公開番号（公開出願番号）：特開平2-104354
特許番号：特許第3032212号
出願日： 1989年06月16日
公開日（公表日）： 1990年04月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基体上に材料のパターンをデポジットする装置において:a.第1のノズル列が装置の機械の方向に沿って第2のノズル列から選択した距離、オフセットするようになっている第1のノズル列及び少くとも第2のノズル列と、但し、各々のノズル列は、装置のクロス方向に沿って実質的に一直線に並べられており、そして前記第1のノズル列のノズルが前記第2のノズル列のノズルに対して互い違いの配列に位置づけされている複数の間隔をへだてたノズルを含み、各々のノズルが前記材料の流れを形成するオリフィスを含み、そして選択した速度を有しており、且つ材料の流れが前記基体の方に移るとき材料の流れに渦運動を与えるために前記オリフィスからの材料の流れを伴出するように配置されているグループのガス流を形成するためのグループのガスジェットを含んでいる、b.前記機械の方向に沿って前記基体がノズルを通り過ぎるように動かす輸送手段と;c.ノズルを加熱する加熱手段と、d.材料の各々の流れを、前記基体の方に実質的に螺旋状の軌道に導き、そして前記材料をその上にデポジットして、前記基体上に前記材料の複数の並置した、半サイクロイドのパターンを形成するために前記グループのガス流の速度を制御する調節手段とを備え、前記調節手段は、1またはそれ以上の前記半サイクロイド状のパターンの選択したクロス方向の位置づけを、前記クロス方向にそって前記選択した位置づけに関して約プラス又はマイナス0.125インチを超えない変化以内に制御するように構成され、且つ配置されていることを特徴とする装置。

IPC (3件)：

B05C 5/00 101 ,  A61F 13/15 ,  A61F 13/49

FI (2件)：

B05C 5/00 101 ,  A41B 13/02 S