特許
J-GLOBAL ID:201103075638445143
硫化物固体電解質材料の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
山下 昭彦
, 岸本 達人
, 星野 哲郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2010-009005
公開番号(公開出願番号):特開2011-150806
出願日: 2010年01月19日
公開日(公表日): 2011年08月04日
要約:
【課題】本発明は、安価な単体原料を用いて、組成を制御することにより、未反応のLi2Sが残存しにくく、Liイオン伝導性に優れた硫化物固体電解質材料を得ることができる硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明においては、硫化リチウム(Li2S)、単体硫黄(S)および単体リン(P)を含有し、S元素とP元素との総モル比:S/Pが、4以下であり、Li元素とP元素との総モル比:Li/Pが、3以下となるように原料組成物を調製する原料組成物調製工程と、上記原料組成物に対して、メカニカルミリングを行い、硫化物ガラスを合成するガラス化工程とを有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
硫化リチウム(Li2S)、単体硫黄(S)および単体リン(P)を含有し、S元素とP元素との総モル比:S/Pが、4以下であり、Li元素とP元素との総モル比:Li/Pが、3以下となるように原料組成物を調製する原料組成物調製工程と、
前記原料組成物に対して、メカニカルミリングを行い、硫化物ガラスを合成するガラス化工程とを有することを特徴とする硫化物固体電解質材料の製造方法。
IPC (5件):
H01B 13/00
, H01M 10/056
, C03B 19/00
, C03C 4/14
, C03C 6/00
FI (5件):
H01B13/00 Z
, H01M10/00 107
, C03B19/00 Z
, C03C4/14
, C03C6/00
Fターム (65件):
4G062AA18
, 4G062BB18
, 4G062CC00
, 4G062CC10
, 4G062DA01
, 4G062DB01
, 4G062DC01
, 4G062DD04
, 4G062DE01
, 4G062DF01
, 4G062EA07
, 4G062EB01
, 4G062EC01
, 4G062ED01
, 4G062EE01
, 4G062EF01
, 4G062EG01
, 4G062FA01
, 4G062FB01
, 4G062FC01
, 4G062FD01
, 4G062FE01
, 4G062FF01
, 4G062FG01
, 4G062FH01
, 4G062FJ01
, 4G062FK01
, 4G062FL01
, 4G062GA01
, 4G062GB07
, 4G062GC01
, 4G062GD01
, 4G062GE01
, 4G062HH01
, 4G062HH03
, 4G062HH05
, 4G062HH07
, 4G062HH09
, 4G062HH11
, 4G062HH13
, 4G062HH15
, 4G062HH17
, 4G062HH20
, 4G062JJ01
, 4G062JJ03
, 4G062JJ05
, 4G062JJ07
, 4G062JJ10
, 4G062KK01
, 4G062KK03
, 4G062KK05
, 4G062KK07
, 4G062KK10
, 4G062MM23
, 4G062MM40
, 4G062NN24
, 4G062NN25
, 5G301CA05
, 5G301CA16
, 5G301CD01
, 5H029AJ14
, 5H029AM12
, 5H029CJ08
, 5H029DJ18
, 5H029HJ02
引用特許:
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