静電誘導型不揮発性半導体メモリ

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願昭59-124272
公開番号（公開出願番号）：特開昭60-016471
出願日： 1977年07月11日
公開日（公表日）： 1985年01月28日
請求項（抜粋）：

【請求項1】n基板の一主表面上に設けられた基板とは反対導電型のp型高抵抗領域、前記基板と反対導電型の高抵抗領域の境界に設けられたp+領域よりなるビット線領域、半導体表面に設けられたゲート及びワード線領域、半導体表面近傍にワード線領域によって囲まれるように設けられた前記ビット線領域と同導電型高不純物密度領域よりなる蓄積セルとなる領域を有し、かつワード線と半導体表面の間に介在する絶縁物中に前記ビット線と対向する位置で前記蓄積セルとの間に浮遊ゲートを設けた不揮発性メモリセルを所要本数のワード用列線及び所要本数のビット用行線の行列線の少なくとも一部に含んだことを特徴とする静電誘導型不揮発性半導体メモリ。

IPC (2件)：