特許

J-GLOBAL ID：201103075723095372

デバイス製造方法

発明者： 高桑 真歩
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (19件)： 蔵田 昌俊 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  福原 淑弘 ,  峰 隆司 ,  白根 俊郎 ,  村松 貞男 ,  野河 信久 ,  幸長 保次郎 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  勝村 紘 ,  河井 将次 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子 ,  竹内 将訓 ,  市原 卓三 ,  山下 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-209526
公開番号（公開出願番号）：特開2011-061025
出願日： 2009年09月10日
公開日（公表日）： 2011年03月24日
要約：

【課題】デバイス製造におけるスループットの低下を抑制することが可能な微細加工装置及びデバイス製造方法を提供する。【解決手段】原版1に形成された転写パターンを複数の転写位置で被転写基板3に形成されたパターン形成材料に順次転写するデバイス製造方法であって、転写パターンをパターン形成材料に転写して反転パターンを形成する工程と、既に形成されている反転パターンの形成位置を計測して計測値を求める工程と、既に形成されている少なくとも二つ以上の反転パターンの形成位置の計測値に基づいて、次に転写パターンをパターン形成材料に転写する際の転写位置の補正値を導出する工程とを備える。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

原版に形成された転写パターンを複数の転写位置で被転写基板に形成されたパターン形成材料に順次転写するデバイス製造方法であって、 前記転写パターンを前記パターン形成材料に転写して反転パターンを形成する工程と、 既に形成されている反転パターンの形成位置を計測して計測値を求める工程と、 既に形成されている少なくとも二つ以上の反転パターンの形成位置の計測値に基づいて、次に前記転写パターンを前記パターン形成材料に転写する際の転写位置の補正値を導出する工程と、 を備えることを特徴とするデバイス製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/027

FI (1件)：

H01L21/30 502D

Fターム (2件)：

5F046AA28 ,  5F146AA28