特許

J-GLOBAL ID：201103075747381333

BaTi2O5系強誘電性セラミックス製造方法

発明者： 秋重 幸邦
出願人/特許権者： 国立大学法人島根大学
代理人 (1件)： 田邊 義博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-148621
公開番号（公開出願番号）：特開2011-006266
出願日： 2009年06月23日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】常圧で汎用な焼成手法を用いて、成形性のよいBaTi2O5系強誘電性セラミックスを得ること。【解決手段】 BaTi2O5粉末を、Mnを助剤として添加し1200°C以上で焼成してBaTi2O5系の強誘電性セラミックスを得ることを特徴とするBaTi2O5系強誘電性セラミックス製造方法である。また、1250°C以上で焼成し、ε’≧350(周波数f=1MHz)であるBaTi2O5系の強誘電性セラミックスを得ることができる。必要に応じて、焼成物を粉砕し再度成形して焼成する工程を繰り返し焼結度が80%以上となるようにすることができる。【選択図】図9

請求項（抜粋）：

BaTi2O5粉末を、Mnを助剤として添加し1200°C以上で焼成してBaTi2O5系の強誘電性セラミックスを得ることを特徴とするBaTi2O5系強誘電性セラミックス製造方法。

IPC (4件)：

C04B 35/46 ,  C01G 23/00 ,  H01B 3/12 ,  H01G 4/12

FI (4件)：

C04B35/46 C ,  C01G23/00 C ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358

Fターム (27件)：

4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA19 ,  4G031BA05 ,  4G031BA09 ,  4G031CA01 ,  4G031GA01 ,  4G031GA04 ,  4G031GA07 ,  4G031GA11 ,  4G047CA07 ,  4G047CB06 ,  4G047CB09 ,  4G047CC02 ,  4G047CD03 ,  4G047CD07 ,  5E001AB03 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB20 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB18 ,  5G303CB35 ,  5G303DA05