特許

J-GLOBAL ID：201103075802650721

無電解メッキによって基板上に本質的に亀裂のない銅メッキ層をばらつきなく形成する方法

発明者： ロワン・ヒューズ ,  ミラン・ポーノヴィック ,  ルドルフ・ジェイ・ゼブリスキー
出願人/特許権者： アンプ-アクゾ・コーポレーション
代理人 (1件)： 湯浅 恭三 (外6名)
公報種別：特許公告
出願番号（国際出願番号）：特願平1-111958
公開番号（公開出願番号）：特開平2-070070
出願日： 1989年04月28日
公開日（公表日）： 1990年03月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】銅イオン、ホルムアルデヒド還元剤、安定剤、およびアルカリ性pHにする水酸化物イオンを含み、使用中に副生物又はこれと汚染物の増加によって老化するにつれて固有アノード反応速度対固有カソード反応の速度の比が大きくなる傾向となりかつ銅メッキの品質を低下する傾向となる無電解メッキ溶液を、銅メッキの品質を維持しかつメッキ速度を一定範囲内に維持するように操作する方法において、無電解メッキの過程において所定の間隔で固有アノード反応速度及び固有カソード反応速度を測定し、銅濃度を高め、かつpH及びホルムアルデヒド濃度を調節して、固有アノード反応速度対固有カソード反応速度の比(ra′/rc′)を85〜110%の値に低め、かつホルムアルデヒドのモル濃度が銅のモル濃度の1.2倍を超えないようにすることを特徴とする上記方法。

IPC (1件)：

C23C 18/40

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特公昭56-027594
  
• 特公昭59-027379
  
• 特開昭59-035666
  
• 特開昭59-177356