特許

J-GLOBAL ID：201103075812452707

無機材料を選択領域堆積するためのオルガノシロキサン材料

発明者： ヤン,チェン ,  アービング,リン マリー ,  レビー,デイビッド ハワード ,  カウデリー-コーバン,ピーター ジェローム ,  フリーマン,ダイアン キャロル
出願人/特許権者： イーストマン コダック カンパニー
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  小林 良博 ,  出野 知 ,  蛯谷 厚志
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-526903
公開番号（公開出願番号）：特表2011-501779
出願日： 2008年09月17日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

(a)基板を用意する工程、(b)該基板に堆積阻害材料を適用する工程、該堆積阻害材料は、オルガノシロキサン化合物である;及び(c)工程(b)の後、又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された領域を提供する工程を含むパターン化薄膜を形成するための原子層堆積法。該薄膜は、該堆積阻害材料を有さない基板の選択された領域内だけに実質的に堆積される。

請求項（抜粋）：

(a)基板を用意する工程; (b)該基板に、堆積阻害材料を含む組成物を適用する工程、該堆積阻害材料は、任意選択的に架橋されていてもよいオルガノシロキサンポリマーを含む; (c)工程(b)の後、又は該堆積阻害材料を適用するのと同時に、該堆積阻害材料をパターン化して、該堆積阻害材料を事実上有さない選択された領域を提供する工程; (d)該基板上に原子層堆積によって無機薄膜を堆積する工程 を含み、 該無機薄膜が、該堆積阻害材料を有さない該選択された基板領域内だけに実質的に堆積される、 パターン化薄膜を形成するための原子層堆積法。

IPC (1件)：

C23C 16/04

FI (1件)：

C23C16/04

Fターム (8件)：

4K030AA11 ,  4K030BA43 ,  4K030BA47 ,  4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA05 ,  4K030HA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 保持体表面上に化学反応のアレーを導入するための方法および装置
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-500936   出願人：プロトジーン・ラボラトリーズ・インコーポレーテッド
• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-165147   出願人：株式会社東芝
• 導電性膜の選択成長法及び基体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-276151   出願人：アネルバ株式会社, 高井治, 杉村博之
• 無機材料の選択領域堆積法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2010-526894   出願人：イーストマンコダックカンパニー