特許
J-GLOBAL ID：201103075934601576
半導体装置及びその製造方法、固体撮像素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人信友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-140530
公開番号（公開出願番号）：特開2010-287743
出願日： 2009年06月11日
公開日（公表日）： 2010年12月24日
要約：
【課題】縦型トランジスタの縦穴のコーナー部における電界集中を防ぐことができ、高い信頼性を実現する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基体11と、この半導体基体11に形成された穴の内部を少なくとも含む半導体基体11の表面に形成され、ラジカル酸化又はプラズマ酸化によって形成された、ゲート絶縁膜12と、穴に埋め込まれて形成されたゲート電極14と、ゲート絶縁膜12及びゲート電極14を含んで構成される縦型のMOSトランジスタを含む半導体装置を構成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基体にゲート電極が埋め込まれて形成された縦型のMOSトランジスタを有する半導体装置であって、
前記半導体基体と、
前記半導体基体に形成された穴の内部を少なくとも含む前記半導体基体の表面に形成され、ラジカル酸化又はプラズマ酸化によって形成された、ゲート絶縁膜と、
前記穴に埋め込まれて形成された前記ゲート電極と、
前記ゲート絶縁膜及び前記ゲート電極を含んで構成される前記縦型のMOSトランジスタとを含む
半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/78 653A
, H01L27/14 A
, H01L29/78 652K
4M118AA10
, 4M118AB01
, 4M118BA14
, 4M118CA04
, 4M118DD04
, 4M118FA06
, 4M118FA33
, 4M118GA02
