特許
J-GLOBAL ID：201103075986086572

ガスバリア層構造体

発明者：
大森 大輔

大森 大輔 について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (1件)： 特許業務法人青莪
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-239071
公開番号（公開出願番号）：特開2011-083990
出願日： 2009年10月16日
公開日（公表日）： 2011年04月28日
要約：
【課題】 特に水蒸気透過量を従来技術のものと比較して少なくでき、電子デバイスのバリア層として最適なガスバリア層構造体を提供する。【解決手段】 電子デバイス構造にてガスバリア性能を発揮する本発明のガスバリア層構造体6は、不動態化金属の層61と、この不動態化金属の酸化物層62とを順次積層して構成される。不動態化金属は、Al、Cr、Ti、Ni、Fe、Zr及びTaの中から選択されたもの、または、これらの二種以上の合金である。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
電子デバイス構造にてガスバリア性能を発揮するガスバリア層構造体であって、 不動態化金属の層と、この不動態化金属の酸化物層とを順次積層してなることを特徴とするガスバリア層構造体。
IPC (7件)：
B32B 9/00 ,  C23C 14/08 ,  H01M 2/02 ,  H01L 51/50 ,  H05B 33/04 ,  H01L 31/04 ,  B32B 15/04
FI (7件)：
B32B9/00 A ,  C23C14/08 N ,  H01M2/02 K ,  H05B33/14 A ,  H05B33/04 ,  H01L31/04 F ,  B32B15/04 Z
Fターム (47件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC23 ,  3K107EE47 ,  3K107EE48 ,  3K107EE50 ,  3K107GG05 ,  4F100AA17B ,  4F100AB01A ,  4F100AB02A ,  4F100AB10A ,  4F100AB12A ,  4F100AB13A ,  4F100AB16A ,  4F100AB19A ,  4F100AT00C ,  4F100BA02 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10C ,  4F100EH66B ,  4F100GB41 ,  4F100JD02 ,  4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA02 ,  4K029BA03 ,  4K029BA07 ,  4K029BA09 ,  4K029BA12 ,  4K029BA17 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA48 ,  4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K029CA06 ,  5F051BA18 ,  5F051HA20 ,  5F151BA18 ,  5F151HA20 ,  5H011AA10 ,  5H011CC06 ,  5H011CC10 ,  5H011DD17 ,  5H011DD21
引用特許：
審査官引用 (9件)
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