特許

J-GLOBAL ID：201103076004221389

半導体装置の製造方法及び露光装置

発明者： 鈴木 勝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (14件)： 勝沼 宏仁 ,  佐藤 泰和 ,  川崎 康 ,  関根 毅 ,  赤岡 明 ,  箱崎 幸雄 ,  出口 智也 ,  山ノ井 傑 ,  木本 大介 ,  重野 隆之 ,  平田 忠雄 ,  角田 賢二 ,  中村 恵子 ,  遠藤 和光
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-188816
公開番号（公開出願番号）：特開2011-040661
出願日： 2009年08月18日
公開日（公表日）： 2011年02月24日
要約：

【課題】フォーカス値の測定時間を短縮し、かつ正確なフォーカス値を得ることができる半導体装置の製造方法及び露光装置を提供する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、ウエハ3上に形成されたレジスト6より下層に形成された膜によって反射率が異なる領域について測定されたフォーカス値を取得し、反射率が低い第1の領域31について得られたフォーカス値に、前記第1の領域31よりも反射率が高い第2の領域32について得られたフォーカス値を近づけて露光処理を行う。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成されたレジストより下層に形成された膜によって反射率が異なる領域について測定されたフォーカス値を取得し、 反射率が低い第1の領域について得られたフォーカス値に、前記第1の領域よりも反射率が高い第2の領域について得られたフォーカス値を近づけて露光処理を行う半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/207 ,  G01B 11/00 ,  H01L 21/321

FI (5件)：

H01L21/30 526B ,  H01L21/30 516A ,  G03F7/207 H ,  G01B11/00 A ,  H01L21/88 C

Fターム (23件)：

2F065AA02 ,  2F065CC19 ,  2F065FF41 ,  2F065GG14 ,  2F065HH12 ,  2F065JJ08 ,  5F033HH07 ,  5F033QQ02 ,  5F033QQ06 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX33 ,  5F046BA03 ,  5F046DA07 ,  5F046DA14 ,  5F046DB05 ,  5F046DC09 ,  5F046DC10 ,  5F046DD03 ,  5F046EA19 ,  5F046EC03 ,  5F046FC04 ,  5F046FC05 ,  5F046FC06