特許

J-GLOBAL ID：201103076029656266

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 木村 明浩
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-099084
公開番号（公開出願番号）：特開2011-225408
出願日： 2010年04月22日
公開日（公表日）： 2011年11月10日
要約：

【課題】育成中に有転位化が発生したシリコン単結晶から、ロス無く効率的に単結晶部を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】ルツボ内の原料融液に種結晶を融着後、該種結晶を上方に引き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部を育成中に有転位化が発生した場合、前記シリコン単結晶の直胴部の有転位化が発生した位置から引き上げ軸下方に、前記直胴部の直径の0.5倍以上で、かつ、前記直胴部の直径以下の長さの結晶をさらに引き上げて、該引き上げたシリコン単結晶を原料融液から切り離すシリコン単結晶の製造方法。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ルツボ内の原料融液に種結晶を融着後、該種結晶を上方に引き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部を育成中に有転位化が発生した場合、前記シリコン単結晶の直胴部の有転位化が発生した位置から引き上げ軸下方に、前記直胴部の直径の0.5倍以上で、かつ、前記直胴部の直径以下の長さの結晶をさらに引き上げて、該引き上げたシリコン単結晶を原料融液から切り離すことを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (2件)：

C30B 29/06 ,  C30B 15/00

FI (2件)：

C30B29/06 502Z ,  C30B15/00 Z

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077AB09 ,  4G077BA04 ,  4G077CF10 ,  4G077EH06 ,  4G077EH10 ,  4G077HA12 ,  4G077PA16 ,  4G077PF02 ,  4G077PF08 ,  4G077PF13