特許
J-GLOBAL ID：201103076032358080
金属粒子包接薄膜の製造方法。
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
, 長濱 範明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-264773
公開番号（公開出願番号）：特開2004-099386
特許番号：特許第4461670号
出願日： 2002年09月10日
公開日（公表日）： 2004年04月02日
請求項（抜粋）：
【請求項1】膜厚が1μm以下であり、かつ中心細孔直径が1〜50nmであるメソポーラスシリカ薄膜と所定の金属のイオンを含有する溶液とを接触せしめ、前記メソポーラスシリカ薄膜の3d-ヘキサゴナル構造又はキュービック構造の細孔内及び細孔外に前記金属イオンを担持せしめる金属イオン担持工程と、
前記金属イオン担持工程から得られたメソポーラスシリカ薄膜の細孔外の前記金属イオンを除去する金属イオン除去工程と、
前記金属イオン除去工程から得られたメソポーラスシリカ薄膜を飽和蒸気圧の1/20〜1/3の蒸気圧を有する還元剤の蒸気に接触せしめ、前記メソポーラスシリカ薄膜の細孔内に前記還元剤蒸気を導入する還元剤導入工程と、
前記還元剤導入工程から得られたメソポーラスシリカ薄膜に光を照射して前記金属イオンを還元せしめ、前記メソポーラスシリカ薄膜の細孔内に前記金属からなる金属粒子を形成せしめる光還元工程と、
を含むことを特徴とする金属粒子包接薄膜の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
引用文献：
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