特許
J-GLOBAL ID：201103076095190367
化合物電界効果型半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
眞鍋 潔
, 柏谷 昭司
, 渡邊 弘一
, 伊藤 壽郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335561
公開番号（公開出願番号）：特開2002-141498
特許番号：特許第3903241号
出願日： 2000年11月02日
公開日（公表日）： 2002年05月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】メサ化に依って素子間分離した少なくともチャネル層及びキャップ層を含んで電界効果型トランジスタを構成する積層半導体層と、
ゲート電極引き出し部分が延在するメサ側壁を覆う絶縁物からなる第1のサイド・ウォールと、
オーミック電極引き出し部分が延在するメサ側壁に設けられ且つ第1のサイド・ウォールに比較して低い高さをもつ第2のサイド・ウォールとを備えてなること
を特徴とする化合物電界効果型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ( 200 6.01)
, H01L 29/778 ( 200 6.01)
, H01L 29/812 ( 200 6.01)
