特許

J-GLOBAL ID：201103076096662874

強誘電体膜、電子部品及び強誘電体膜の製造方法

発明者： 木島 健 ,  本多 祐二 ,  早川 晴仁
出願人/特許権者： 株式会社ユーテック
代理人 (2件)： 柳瀬 睦肇 ,  渡部 温
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-173435
公開番号（公開出願番号）：特開2011-029399
出願日： 2009年07月24日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】結晶化しようとする強誘電体膜の配向を変換して任意に制御した強誘電体膜を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る強誘電体膜は、基板上に形成された(111)配向したPt膜4と、前記Pt膜上に形成されたPZT膜6と、を具備し、前記PZT膜は、(111)+(001)、(001)、(001)+(110)及び(110)のいずれかに配向されていることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された所定の結晶面に配向した下地膜と、 前記下地膜上に形成された強誘電体膜と、 を具備し、 前記強誘電体膜は、前記所定の結晶面と異なる結晶面に配向されていることを特徴とする強誘電体膜。

IPC (8件)：

H01L 21/316 ,  H01L 27/105 ,  H01L 21/824 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/22 ,  H01L 41/09 ,  C23C 16/27

FI (8件)：

H01L21/316 P ,  H01L27/10 444C ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/22 Z ,  H01L41/08 C ,  C23C16/27 ,  H01L21/316 G

Fターム (21件)：

4K030AA09 ,  4K030BA28 ,  4K030BB03 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA01 ,  4K030JA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BF46 ,  5F058BH03 ,  5F058BJ02 ,  5F083FR00 ,  5F083JA13 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083PR21 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33 ,  5F083PR34

引用特許：

審査官引用 (4件)

• セラミックス、ならびに誘電体キャパシタ、アクチュエータ、光変調器、及び超音波センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-322706   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 複合酸化物積層体、複合酸化物積層体の製造方法、デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2005-256416   出願人：セイコーエプソン株式会社
• ペロブスカイト型酸化物薄膜の成膜方法および積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-236002   出願人：国立大学法人東京工業大学, 富士通株式会社
• 強誘電体薄膜素子の製造方法及び加熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-173609   出願人：セイコーエプソン株式会社