特許
J-GLOBAL ID：201103076476272610
プローブおよびこれを備えたセンサ
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
代理人 (3件)：
森 哲也
, 内藤 嘉昭
, 崔 秀▲てつ▼
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152654
公開番号（公開出願番号）：特開2000-333921
特許番号：特許第4017058号
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板の拡散層の上にAu薄膜を形成し、前記拡散層から半導体を結晶成長させた突起からなることを特徴とするプローブ。
IPC (7件)：
A61B 5/0408 ( 200 6.01)
, A61B 5/0478 ( 200 6.01)
, A61B 5/0492 ( 200 6.01)
, A61B 5/0476 ( 200 6.01)
, G01N 27/30 ( 200 6.01)
, G01R 1/073 ( 200 6.01)
, H01L 21/66 ( 200 6.01)
A61B 5/04 300 J
, A61B 5/04 320 A
, G01N 27/30 A
, G01N 27/30 F
, G01R 1/073 F
, H01L 21/66 B
