特許
J-GLOBAL ID:201103076482733751

小型酸素電極の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 井桁 貞一 (外2名)
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平1-176173
公開番号(公開出願番号):特開平3-041353
特許番号:特許第2767614号
出願日: 1989年07月07日
公開日(公表日): 1991年02月21日
請求項(抜粋):
【請求項1】シリコンを異方性エッチングして該シリコン表面に溝を形成する工程と、該溝の底部から該シリコンの表面に至るカソード・アノードとなる電極を絶縁膜を介して形成する工程と、該溝の内部に電解質含有多孔性物質を充填する工程と、該電極の露出部を除き該シリコンの表面を覆い該電解質含有多孔性物質を被覆するガス透過性膜を形成する工程を有する小型酸素電極の製法において、上記シリコンとして少なくとも電極感応部形成領域が粗面化されたものを用いることを特徴とする小型酸素電極の製造方法。
IPC (1件):
G01N 27/404
FI (1件):
G01N 27/30 341 L
引用特許:
審査官引用 (2件)
  • 特開昭63-238548
  • 特開昭60-066821

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