特許

J-GLOBAL ID：201103076747495300

光半導体装置、及びそれを用いた光ピックアップ装置、並びに電子機器

発明者： 福田 秀雄 ,  伊勢 浩二 ,  宮本 伸一
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (19件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也 ,  河部 大輔 ,  長谷川 雅典 ,  岩下 嗣也 ,  福本 康二 ,  前田 亮 ,  間脇 八蔵 ,  松永 裕吉 ,  川北 憲司 ,  岡澤 祥平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-147461
公開番号（公開出願番号）：特開2011-003828
出願日： 2009年06月22日
公開日（公表日）： 2011年01月06日
要約：

【課題】中空領域を備えたCSPの検査において、検査用プローブの荷重で半導体基板が破壊しない高信頼性で小型の光半導体装置、及びこれを用いた光ピックアップ装置、並びに電子機器を提供する。【解決手段】光半導体装置100は、半導体基板101、ガラス102、接着層103、補強用接着層104、及びバンプ106で構成されている。半導体基板101とガラス102とは、半導体基板101の周辺部で接着層103により接着され、半導体基板101とガラス102と接着層103で囲まれた部分に中空領域105が形成さる。この中空領域105には、半導体基板101の裏面で等間隔に配置されたバンプ106のそれぞれと対応する位置に補強用接着層104が形成される。補強用接着層104により検査用プローブ200の荷重に対しても耐えうる強度を半導体基板101に持たせる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の主面上に能動素子が形成された半導体基板と、前記第1の主面上に前記能動素子と対向するように間隔をおいて設けられた光透過性部材と、前記半導体基板上で前記能動素子と前記光透過性部材との間に形成された中空領域と、前記半導体基板の他の主面に複数の電極端子とを備えた光半導体装置であって、 前記中空領域は、前記半導体基板上の周辺部に形成された封止部と、該封止部で囲まれた前記中空領域内に少なくとも1箇所以上形成された緩衝部とを備えていることを特徴とする光半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/14 ,  H01L 23/02 ,  G11B 7/13 ,  H01L 23/08

FI (5件)：

H01L27/14 D ,  H01L23/02 F ,  G11B7/13 ,  H01L23/08 B ,  H01L23/02 K

Fターム (12件)：

4M118AA08 ,  4M118AA09 ,  4M118AB05 ,  4M118BA02 ,  4M118HA02 ,  4M118HA20 ,  4M118HA24 ,  4M118HA31 ,  4M118HA33 ,  5D789AA32 ,  5D789KA40 ,  5D789KA43