窒化物薄膜の作製方法および作製装置並びに窒化物薄膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高田幸彦 , 橋本宏之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-241680
公開番号（公開出願番号）：特開2011-088764
出願日： 2009年10月20日
公開日（公表日）： 2011年05月06日
要約：

【課題】2成分系分解性窒化物セラミックスあるいは窒化物半導体のパルスレーザー蒸着において、ターゲットの化学量論比に近い薄膜を形成させることができ、且つ、生成膜への不純物混入を極力抑えることができる、アブレーション放出イオンを用いた良質の窒化物薄膜を作製する方法および作製装置並びに窒化物薄膜を提供する。【解決手段】真空度が1×10-2 Pa以下、より好ましくは1×10-6 Pa以下に保持された容器内において、波長の異なる2本のレーザー光を固体の窒素化合物に遅延時間を設けて同軸で照射することにより、反応性ガスを用いることなく、前記窒素化合物の1価イオンのみを多量に発生させるとともに化学量論比を制御し、制御されたイオン種のみを基板に蒸着させる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

真空度が1×10-2 Pa以下に保持された容器内において、波長の異なる2本のレーザー光を固体の窒素化合物に照射することにより、反応性ガスを用いることなく、前記の窒素化合物を基板に蒸着させる窒化物薄膜の作製方法。

IPC (6件)：

C30B 29/38 , C30B 23/08 , C23C 14/06 , C23C 14/28 , H01L 21/318 , H01L 21/31

FI (7件)：

C30B29/38 B , C30B29/38 D , C30B23/08 Z , C23C14/06 A , C23C14/28 , H01L21/318 B , H01L21/31 B

Fターム (23件)：

4G077AA03 , 4G077BE12 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077DA03 , 4G077EA04 , 4G077EJ04 , 4G077SA04 , 4G077SA07 , 4G077SA11 , 4K029BA58 , 4K029BA59 , 4K029CA01 , 4K029DB20 , 4K029EA00 , 4K029EA06 , 5F045AA18 , 5F045AB40 , 5F045EB02 , 5F058BC07 , 5F058BD09 , 5F058BF11 , 5F058BG10

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