特許
J-GLOBAL ID：201103076877021270
半導体集積回路装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-189312
公開番号（公開出願番号）：特開平3-053547
特許番号：特許第2507618号
出願日： 1989年07月21日
公開日（公表日）： 1991年03月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】複数のセルが一方向に沿って配列された少なくとも2つのセル列と、これらセル列間に設けられ、各セル間を選択的に接続するためのセル間配線が形成された配線領域と、前記配線領域の空きスペースに設けられ、前記セル間配線と同じ幅,配線ピッチで形成されたダミー配線と、前記各セル列内に少なくとも1つ設けられ、半導体集積回路チップの基板電位とは逆電位の内部電源を前記ダミー配線に与えるための専用セルとを備え、前記セル間配線の修正が必要な時に、選択したダミー配線を前記内部電源から切り離し、この切り離したダミー配線と前記セル間配線とを接続することにより、ダミー配線を経由してセル間を結線し、前記ダミー配線で前記セル間配線の修正を行なうことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/82 R
, H01L 21/82 B
, H01L 21/82 M
