特許

J-GLOBAL ID：201103076988712469

放射システムおよびリソグラフィ装置

発明者： ループストラ,エリック,ルーロフ ,  イワノフ,ウラディミル,ヴィタレヴィッチ ,  モールス,ヨハネス,フベルトゥス,ヨセフィナ ,  スウィンケルズ,ゲラルドス,ヒューベルタス,ペトラス,マリア ,  ヤクニン,アンドレイ,ミクハイロヴィッチ ,  デ グラーフ,デニス ,  シュタム,ウーヴェ,ブルーノ,ヘイニ
出願人/特許権者： エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ.
代理人 (2件)： 稲葉 良幸 ,  大貫 敏史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-151526
公開番号（公開出願番号）：特開2011-018903
出願日： 2010年07月02日
公開日（公表日）： 2011年01月27日
要約：

【課題】EUV放射放出プラズマの変換効率を高めることができる放射システムおよびリソグラフィ装置を提供する。【解決手段】放射システムは、軌跡に沿ってターゲット材料の小滴を供給するターゲット材料源と、増幅器および光学系を含むレーザシステムとを含む。光学系は、増幅器を通過および軌跡上の第1地点を通過する第1ビームパスを確立し、かつ増幅器を通過および軌跡上の第2地点を通過する第2ビームパスを確立する。レーザシステムは、増幅器から放出された光子が軌跡上の第1地点におけるターゲット材料の小滴によって第1ビームパスに沿って反射された場合にレーザ放射の第1パルスを生成する。レーザシステムは、増幅器から放出された光子が軌跡上の第2地点におけるターゲット材料の小滴によって第2ビームパスに沿って反射された場合にレーザ放射の第2パルスを生成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

軌跡に沿ってターゲット材料の小滴を供給するターゲット材料源と、 増幅器および光学系を含むレーザシステムと、 前記増幅器を通過および前記軌跡上の第1地点を通過する第1ビームパスを確立し、かつ前記増幅器を通過および前記軌跡上の第2地点を通過する第2ビームパスを確立する光学系と、 前記増幅器から放出された光子が前記軌跡上の前記第1地点におけるターゲット材料の小滴によって前記第1ビームパスに沿って反射された場合にレーザ放射の第1パルスを生成し、かつ前記増幅器から放出された光子が前記軌跡上の前記第2地点における前記ターゲット材料の小滴によって前記第2ビームパスに沿って反射された場合にレーザ放射の第2パルスを生成するレーザシステムと を含む、放射システム。

IPC (3件)：

H01S 3/08 ,  H01L 21/027 ,  H01S 3/00

FI (3件)：

H01S3/08 ,  H01L21/30 531S ,  H01S3/00 A

Fターム (12件)：

5F046GA03 ,  5F046GA14 ,  5F046GB01 ,  5F046GC03 ,  5F172AD05 ,  5F172DD03 ,  5F172NN32 ,  5F172NQ09 ,  5F172NQ42 ,  5F172NQ45 ,  5F172NQ46 ,  5F172ZZ14