特許

J-GLOBAL ID：201103076995223295

固体撮像装置および駆動方法

発明者： 加藤 剛久
出願人/特許権者： パナソニック株式会社
代理人 (1件)： 新居 広守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-274990
公開番号（公開出願番号）：特開2011-119950
出願日： 2009年12月02日
公開日（公表日）： 2011年06月16日
要約：

【課題】グローバルシャッタ動作が可能で、かつ、高品位な画像を得やすい固体撮像装置を提供する。【解決手段】半導体基板19に形成された光電変換素子であるフォトダイオード1と、薄膜トランジスタで構成されたパストランジスタ6と蓄積容量7とで構成され、フォトダイオード1で生成された信号電荷を、パストランジスタ6を介して蓄積容量7に蓄積するメモリ回路と、半導体基板19に形成された電界効果トランジスタである出力トランジスタ9で構成され、蓄積容量7に蓄積された信号電荷に応じた信号電圧を出力する出力回路とを各々備えた複数の画素回路11が二次元状に配置されてなり、パストランジスタ6を構成する半導体薄膜31のバンドギャップが、半導体基板19のバンドギャップよりも大きい。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体基板に形成された光電変換素子と、 薄膜トランジスタと蓄積容量とで構成され、前記光電変換素子で生成された信号電荷を、前記薄膜トランジスタを介して前記蓄積容量に蓄積するメモリ回路と、 前記半導体基板に形成された電界効果型トランジスタで構成され、前記蓄積容量に蓄積された信号電荷に応じた信号電圧を出力する出力回路と を各々備えた複数の画素回路が二次元状に配置されてなり、 前記薄膜トランジスタを構成する半導体薄膜のバンドギャップが、前記半導体基板のバンドギャップよりも大きい 固体撮像装置。

IPC (2件)：

H04N 5/335 ,  H01L 27/146

FI (3件)：

H04N5/335 E ,  H01L27/14 F ,  H01L27/14 C

Fターム (22件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118BA14 ,  4M118BA16 ,  4M118CA03 ,  4M118DB09 ,  4M118DD04 ,  4M118DD10 ,  4M118DD11 ,  4M118DD12 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  5C024CX03 ,  5C024CX54 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024HX35 ,  5C024HX40