特許
J-GLOBAL ID：201103077014063958
不揮発性半導体記憶装置並びに不揮発性メモリセルの読み取り方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
後藤 洋介
, 池田 憲保
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-287987
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110191
特許番号：特許第3608989号
出願日： 1999年10月08日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
請求項（抜粋）：
【請求項1】1メモリセルに2ビット以上の情報を記憶する不揮発性半導体記憶装置において、トランジスタのソース及びドレインを形成する第1及び第2の拡散層間のチャネル領域上に配置された第1及び第2のゲート電極と、第1及び第2のゲート電極の直下のチャネル領域であり、予め定められた複数の閾値の一を当該他のチャネル部と独立に記憶する第1及び第2のチャネル部と、第1及び第2のチャネル部に記憶された閾値の組み合わせをひとつの値として出力するセンスアンプとを備え、 前記第1のゲート電極は前記第1のチャネル部と前記第1の拡散層とを覆うように形成され、 前記第2のゲート電極は前記第2のチャネル部と前記第2の拡散層の全てとを覆うように形成されることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (5件)：
G11C 16/04
, G11C 17/12
, G11C 17/18
, H01L 21/8246
, H01L 27/112
G11C 17/00 305
, G11C 17/00 304 Z
, G11C 17/00 306 Z
, H01L 27/10 433
