半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊藤洋二 , 三浦高広 , 水野史博
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-130808
公開番号（公開出願番号）：特開2001-313276
特許番号：特許第3727509号
出願日： 2000年04月28日
公開日（公表日）： 2001年11月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】凹凸形状のパターンを有する基板(2)に備えられた第1の膜(3)上に第2の膜(4)を配置し、前記第1の膜(3)をストッパとして前記第2の膜(4)を研磨することで、前記第2の膜(4)の表面を平坦化する半導体装置の製造方法であって、前記基板(2)の第1の領域内における第1パターン密度を算出すると共に、前記基板(2)のうち前記第1の領域の4倍以上の面積を持つ第2の領域内の第2パターン密度を算出し、少なくとも前記第1パターン密度と前記第2パターン密度の2つのパラメータによって研磨後の平坦性を予測し、この予測された平坦性に基づいて前記第2の膜の研磨状態を制御することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：