特許
J-GLOBAL ID：201103077128121168
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-077362
公開番号（公開出願番号）：特開平2-256275
特許番号：特許第2892673号
出願日： 1989年03月29日
公開日（公表日）： 1990年10月17日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の導電型から成る半導体基板内に並列接続した単位セル群を構成せしめ、該単位セル群の周辺部に第1の導電型と逆の第2の導電型領域による接合部を形成し、該第2の導電型領域を含む半導体基板上に第1の絶縁膜を介し、該接合部をまたぐように、金属フィールドプレートを設けた半導体装置において、該金属フィールドプレートを部分的に欠除し、その欠除部にゲートと同一材料による導電層を形成し、且つ該導電層上に第2の絶縁膜を介して電流検出用金属配線を形成したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 652 P
, H01L 29/44 E
