特許
J-GLOBAL ID：201103077505095444
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
小栗 昌平
, 市川 利光
, 橋本 公秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-049213
公開番号（公開出願番号）：特開2011-205091
出願日： 2011年03月07日
公開日（公表日）： 2011年10月13日
要約：
【課題】さらなるソース抵抗の低減をはかりオン抵抗を低減する。【解決手段】トレンチ上縁部の湾曲面(TW2)の形状を下に凸の湾曲形状を持たせることで、トレンチの形成ピッチを増大することなく、コンタクト抵抗を低減する。すなわち、トレンチは開口縁で外方に凸となる断面を有する湾曲面を形成し、湾曲面に充填されるソース電極と、湾曲面に沿って形成されたソース領域との間がソースコンタクト領域を構成する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体領域からなるドレイン領域と、
前記ドレイン領域上に形成された第2導電型の半導体領域からなるボディー領域と、
前記ボディー領域内に形成された第1導電型の半導体領域からなるソース領域と、
前記ボディー領域内であって前記ソース領域とは異なる領域に形成された第2導電型の高濃度半導体領域からなるボディーコンタクト領域と、
前記ソース領域から前記ボディー領域を貫通して前記ドレイン領域に到達するように、形成されたトレンチと、
前記トレンチ内に形成されたゲート電極と、
前記ソース領域および前記ボディーコンタクト領域に当接するように形成されたソース電極と、
前記ドレイン領域に形成されたドレイン電極とを備えた半導体装置であって、
前記トレンチは開口縁で外方に凸となる断面を有する湾曲面を形成し、前記湾曲面に充填されるソース電極と、前記湾曲面に沿って形成されたソース領域との間がソースコンタクト領域を構成する半導体装置。
IPC (2件)：
FI (4件)：
H01L29/78 653A
, H01L29/78 652M
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 652S
