特許

J-GLOBAL ID：201103077584925899

シリカ膜の処理方法

発明者： 菱木 達也
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (4件)： 渡邉 一平 ,  木川 幸治 ,  佐藤 博幸 ,  小池 成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-061303
公開番号（公開出願番号）：特開2011-194283
出願日： 2010年03月17日
公開日（公表日）： 2011年10月06日
要約：

【課題】透過性能を維持しつつ分解性能を向上させるための、簡便なシリカ膜の処理方法を提供する。【解決手段】多孔質基材上にシリカゾルを付着させ、シリカゾルを乾燥し、その後焼成することによりシリカ膜を得、そのシリカ膜に対し、その膜表面に水を接触させる水処理を施し、その後、300°C以下で乾燥させる乾燥処理を行う処理方法である。水処理は、流下法で行うことが好ましい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

多孔質基材上にシリカゾルを付着させて乾燥させ、その後焼成することによりシリカ膜を得、 そのシリカ膜に対し、その膜表面に水を接触させる水処理を施し、 その後、300°C以下で乾燥させる乾燥処理を行うシリカ膜の処理方法。

IPC (2件)：

B01D 71/02 ,  C04B 41/85

FI (2件)：

B01D71/02 ,  C04B41/85 C

Fターム (15件)：

4D006GA25 ,  4D006HA77 ,  4D006MA02 ,  4D006MA06 ,  4D006MB09 ,  4D006MC02X ,  4D006NA50 ,  4D006NA54 ,  4D006NA58 ,  4D006NA62 ,  4D006NA63 ,  4D006NA64 ,  4D006PA01 ,  4D006PB12 ,  4D006PB32