特許
J-GLOBAL ID：201103077671607305
電界放射型電子源およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
西川 惠清
, 森 厚夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271524
公開番号（公開出願番号）：特開2001-093406
特許番号：特許第3539305号
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】絶縁性基板の一表面上に形成された半導体層に、酸化若しくは窒化した多孔質半導体よりなる強電界ドリフト領域と不純物をドーピングした半導体よりなる導電性領域とが絶縁性基板の一表面内方向に並んで形成され、強電界ドリフト領域上に導電性薄膜が形成され、導電性薄膜を導電性領域に対して正極として電圧を印加することにより導電性領域から注入された電子が強電界ドリフト領域をドリフトし導電性薄膜を通して放出されることを特徴とする電界放射型電子源。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01J 1/30 M
, H01J 9/02 M
