横方向ソリッドオーバーグロース法を用いる光導電性又は陰極伝導性デバイスの製作

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：古谷聡 , 古谷馨 , 溝部孝彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-229289
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134411
特許番号：特許第4090223号
出願日： 2001年07月30日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】結晶成長に適しない下部層の上に形成されたアモルファス膜を結晶化するための方法であって、所定の結晶方位を有するシーディング表面を上部に有する基板を設けるステップと、前記シーディング表面上に結晶成長に適しない第1の層を形成するステップと、前記第1の層を通って前記シーディング表面まで下方に延びる開口をパターン形成し、その後、エッチングするステップと、前記第1の層の上にアモルファス媒体層を形成して、前記アモルファス媒体層の一部が前記開口を充填し、かつ、前記シーディング表面と接触するようにするステップと、前記アモルファス媒体層を焼きなまし処理することにより、前記アモルファス媒体層の結晶相の核生成が前記シーディング表面で始まり、前記アモルファス媒体層の残りの部分全体にわたって伝搬するように、結晶化媒体層を形成するステップと、前記結晶化媒体層を前記基板から電気的に絶縁するために前記結晶化媒体層を処理するステップとを含み、前記処理するステップは、前記結晶化媒体層上にマスクをパターニングした後、該マスクを通したイオン注入によって前記結晶化媒体層の一部の電気特性を変化させ、該電気特性の変化により前記結晶化媒体層を前記基板から絶縁することを含む、方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ( 200 6.01) , G11B 7/26 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/20 , G11B 7/26

引用特許：

審査官引用 (9件)

特開昭56-006444
特開昭57-023218
特開昭57-045920

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