特許

J-GLOBAL ID：201103077834967380

磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド及び磁気再生装置

発明者： 鴻 井 克 彦 ,  岩 崎 仁 志 ,  福 澤 英 明 ,  富 田 宏 ,  福 家 ひろみ ,  佐 橋 政 司
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268934
公開番号（公開出願番号）：特開2002-074627
特許番号：特許第3645159号
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 磁化の方向が実質的に一方向に固着された強磁性層を有する磁化固着層と、 磁化の方向が外部磁界に応じて変化する強磁性層を有する磁化自由層と、 前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられた非磁性中間層と、 前記磁化自由層からみて前記非磁性中間層とは反対側に設けられ、前記磁化固着層及び前記磁化自由層よりも高い導電率を有する高導電層と、 前記高導電層からみて前記磁化自由層とは反対側に設けられ、前記高導電層を構成する主要元素とは異なる元素の化合物を主成分として含有する第1の化合物層と、 前記第1の化合物層からみて前記高導電層とは反対側に設けられ、前記第1の化合物層と保護層との間に形成された第2の化合物層と、を備え、 前記第1の化合物層は、Th,Zr,Ta,Sc,Nb,Ti,Si,La,Y,Al,P,Mo,W,Ca,B,Ba,Mg,Be,Sr,Sn,Cr,Ge,Ga,In,Mn,V,Fe,Sb,Zn,As,Li,Co,Rb,Cd,Pb,Ni,Rh,Cu,Pd,Ptなる元素の序列のうちから選択された第1の元素の酸化物を主成分とし、 前記第2の化合物層は、前記元素の序列のうちで前記第1の元素よりも後に位置する元素の酸化物を主成分とすることを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (6件)：

G11B 5/39 ,  G01R 33/09 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

G11B 5/39 ,  H01F 10/30 ,  H01F 10/32 ,  H01F 41/18 ,  H01L 43/08 Z ,  G01R 33/06 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 積層薄膜機能デバイス及び磁気抵抗効果素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-078702   出願人：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-097072   出願人：株式会社東芝