薄膜トランジスタの作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-386281
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274110
特許番号：特許第3535459号
出願日： 1989年02月27日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
請求項（抜粋）：

【請求項1】レーザー光が導入される反応室を有する装置を用いた薄膜トランジスタの作製方法であって、前記反応室において、I型の非単結晶半導体膜を形成し、前記I型の非単結晶半導体膜上にN型又はP型の非単結晶半導体膜を形成し、前記レーザー光を照射して前記N型又はP型の非単結晶半導体膜の所定の領域を除去することにより切断し、続けて前記I型の非単結晶半導体膜において前記N型又はP型の非単結晶半導体膜を除去することにより表面が露出された領域を結晶化し、前記I型の非単結晶半導体膜及び前記N型又はP型の非単結晶半導体膜上にゲート絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの作製方法。

IPC (4件)：