半導体記憶装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：山本秀策 , 安村高明 , 大塩竹志
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082779
公開番号（公開出願番号）：特開2000-276349
特許番号：特許第3948692号
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】読み出し専用半導体記憶装置と、前記読み出し専用半導体記憶装置に修正が生じた領域のアドレスデータ及び前記読み出し専用半導体記憶装置に修正が生じた領域のデータを修正する修正データを、それぞれ、電気的に書き込み可能な記憶部に格納し、格納された前記アドレスデータと外部から供給されるアドレスとをアドレス判定部によって比較して該アドレス判定部から判定結果信号を出力する不揮発性半導体記憶装置と、前記読み出し専用半導体記憶装置からの出力データと、前記不揮発性半導体記憶装置からの出力データとが、それぞれ個別に接続されるデータ処理装置とを備え、前記アドレス判定部において前記アドレスデータのアドレスと外部から供給されるアドレスとが一致しない場合に該アドレス判定部から出力される判定結果信号に基づいて前記読み出し専用半導体記憶装置から出力されるデータが、前記データ処理部にてデータ処理されて出力され、前記アドレス判定部において前記アドレスデータのアドレスと外部から供給されるアドレスとが一致した場合に該アドレス判定部から出力される判定結果信号に基づいて前記読み出し専用半導体記憶装置のデータ出力が不定状態とされ、前記読み出し専用半導体記憶装置に修正が生じた領域のデータとして、前記不揮発性半導体記憶装置の記憶部に格納された前記修正データが前記データ処理部に出力されて、該データ処理部から前記修正データがデータ処理されて出力されることを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G06F 9/06 ( 200 6.01) , G06F 12/06 ( 200 6.01) , G06F 12/16 ( 200 6.01) , G11C 16/06 ( 200 6.01) , G11C 29/04 ( 200 6.01)

FI (5件)：

G06F 9/06 540 N , G06F 12/06 520 E , G06F 12/16 310 P , G11C 17/00 639 Z , G11C 29/00 607

引用特許：

審査官引用 (4件)

電子装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-275199 出願人：ソニー株式会社
特開平1-150297
特開平1-150297

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