特許
J-GLOBAL ID：201103078163630888
高開口率及び高透過率液晶表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148725
公開番号（公開出願番号）：特開2000-029072
特許番号：特許第3826214号
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 所定距離をおいて対向する上部及び下部基板と、
前記上部及び下部基板間に介在され、複数の液晶分子を有する液晶層と、
前記下部基板上にマトリクス状に配列され、サブ画素を限定するゲートバスラインとデータバスラインと、
前記サブ画素内に形成される長方形板状のカウンタ電極と、
前記カウンタ電極の所定部分とオーバーラップするように形成される第1電極部と、前記第1電極部から斜線形に延長される第2電極部とを有する画素電極と、
前記ゲートバスラインとデータバスラインの交点近傍に形成され、前記ゲートバスライン選択時、データバスラインの信号を画素電極にスイッチングする薄膜トランジスタと、
前記上部及び下部基板の内側面に形成される水平配向膜と、
前記下部基板の外側面に配置された偏光子と前記上部基板の外側面に配置された検光子とを備え、
前記サブ画素の中で選択されるいずれかのサブ画素の第2電極部は、ゲートバスライン及びデータバスラインに対して斜線形に延長され、前記選択されたサブ画素の隣接したサブ画素に形成される第2電極部は、前記選択されたサブ画素の第2電極部と対称をなすように配列され、
前記カウンタ電極と画素電極は透明な導電体で形成され、
前記下部基板に形成される水平配向膜は、ゲートバスラインまたはデータバスラインと平行な方向にラビングされ、前記上部基板に形成される水平配向膜は、下部基板の水平配向膜と逆平行な方向にラビングされ、
前記偏光子の偏光軸は前記下部配向膜のラビング軸と一致するように配置され、前記検光子の偏光軸は前記偏光子の偏光軸と垂直である
ことを特徴とする、高開口率及び高透過率液晶表示装置。
IPC (3件)：
G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, G02F 1/1343 ( 200 6.01)
, G02F 1/1337 ( 200 6.01)
G02F 1/136
, G02F 1/134
, G02F 1/133 500
