特許

J-GLOBAL ID：201103078366247613

半導体記憶装置

発明者： 立松 武夫
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 有我 軍一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-068312
公開番号（公開出願番号）：特開平2-247891
特許番号：特許第2831683号
出願日： 1989年03月20日
公開日（公表日）： 1990年10月03日
請求項（抜粋）：

【請求項1】ビット線の電位を検出する電位検出手段と、前記電位検出手段の出力に基づいてビット線の不良を判別する不良判別手段とを有し、前記電位検出手段は、検出用ノードと第1のトランジスタとを備え、前記検出用ノードは第2のトランジスタを介して第1の電源に接続され、前記第1のトランジスタのドレインは第2の電源に接続され、前記第1のトランジスタのソースは前記検出用ノードに接続され、前記第1のトランジスタのゲートは前記ビット線に接続され、前記ビット線が不良である場合には、前記第1のトランジスタがオンして前記検出用ノードの電位を前記第2の電源の電位までに引き上げて、前記不良判別手段において該ビット線の不良を判別することを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (3件)：

G11C 29/00 671 ,  G01R 31/28 ,  G11C 11/401

FI (3件)：

G11C 29/00 671 Z ,  G01R 31/28 B ,  G11C 11/34 371 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭63-241800
  
• 特開昭63-244400
  
• 特表平4-503277