特許

J-GLOBAL ID：201103078371921888

マイクロクラスターによるナノ構造およびその作製方法

発明者： 村上 純一 ,  吉村 和記 ,  多井 豊 ,  丸山 豊 ,  山口 渡
出願人/特許権者： 独立行政法人産業技術総合研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-271898
公開番号（公開出願番号）：特開2001-098372
特許番号：特許第3472792号
出願日： 1999年09月27日
公開日（公表日）： 2001年04月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 イオンビームスパッタ法により生成させ、質量を選別した後にヘリウムガスとの多重衝突による冷却により、その並進エネルギー幅を0.4eV以下に狭くした、単一サイズの金属、ないし半導体のマイクロクラスターイオンを基板表面にエネルギーを制御して加速して打ち込み、基板内に固定化し、それによって単一サイズマイクロクラスターのナノ構造を作ることを特徴とする、ナノ構造作製方法。

IPC (3件)：

C23C 14/46 ,  B01J 19/00 ,  H01L 21/203

FI (3件)：

C23C 14/46 Z ,  B01J 19/00 K ,  H01L 21/203 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-018013
  
• 微細構造材料の製造方法並びにその製造装置、および微細構造を有する発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-230073   出願人：松下電器産業株式会社
• 特表平3-503425