特許

J-GLOBAL ID：201103078376366840

イオンビーム照射装置における電荷中和装置

発明者： 森 治久 ,  五十嵐 崇 ,  加勢 正隆
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 福島 康文
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平1-159301
公開番号（公開出願番号）：特開平3-025846
特許番号：特許第2756704号
出願日： 1989年06月20日
公開日（公表日）： 1991年02月04日
請求項（抜粋）：

【請求項1】接地電位に対し±20V以下の電極(29)に囲まれた電離領域(30)と、前記電離領域(30)に電離用ガス(31a)を導入する手段(31)と、前記電離領域(30)内の電離用ガスを電離させて10〜20eV以下の低エネルギー電子(34)を発生させるために、該電離領域(30)に前記電離用ガスの電離エネルギーよりも高いエネルギーを有する電子(33)を入射する高エネルギー電子発生手段(32)と、前記低エネルギー電子(34)を加速・減速し、ターゲット(13a)上のイオンビーム照射領域(37)近傍に輸送する電子輸送手段(35)と、前記電子輸送手段(35)を取り巻いて、前記電離領域(30)とイオンビーム照射領域(37)との間にガス圧力差を生じさせる連結手段(36)と、を備えて成ることを特徴とするイオンビーム照射装置における電荷中和装置。

IPC (2件)：

H01J 37/317 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01J 37/317 Z ,  H01L 21/265 N

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭60-202645
  
• 特開昭63-076233