特許

J-GLOBAL ID：201103078421455344

半導体装置の製造方法

発明者： 芦田 勉
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-376014
公開番号（公開出願番号）：特開2003-178938
特許番号：特許第4578745号
出願日： 2001年12月10日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 シリコン基板上に素子を形成する工程と、前記素子をパッケージする工程と、前記パッケージされた素子を空輸前に空輸時のエネルギー線の影響を防止するためにアニールする工程とを含み、前記パッケージする工程とアニールする工程とを連続で行い、前記アニールは、140〜300°Cで、100〜200時間実施され、前記素子は、CCD又はCMOSイメージャであることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ( 200 6.01) ,  H01L 27/146 ( 200 6.01) ,  H01L 27/148 ( 200 6.01)

FI (3件)：

H01L 21/02 Z ,  H01L 27/14 A ,  H01L 27/14 B

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 固体撮像装置の後処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-292525   出願人：ソニー株式会社