特許

J-GLOBAL ID：201103078512633318

窒化物半導体基板およびその製造方法

発明者： 吉田 丈洋
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： ポレール特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-153461
公開番号（公開出願番号）：特開2011-006304
出願日： 2009年06月29日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】高品質なエピタキシャルウェハの製造が可能な表面に保護膜が形成された窒化物半導体基板を提供する。【解決手段】窒化物半導体基板を空気または酸素を含む雰囲気中で熱処理するか、あるいは、窒化物半導体基板の表面を酸素プラズマに暴露することにより、窒化物半導体基板表面に、主成分が酸化ガリウムおよび/または酸化インジウムで、表面粗さの2乗平均値が5nm以下である保護膜が形成される。前記保護膜は基板表面への汚染物質の付着を防ぐとともに、水素雰囲気中1200°C以下の温度に保持するだけで簡単に除去できるので、汚染物質に起因するエピタキシャル成長膜の異常成長や結晶欠陥の発生を防止する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

表面に保護膜が形成された窒化物半導体基板であって、前記保護膜の表面粗さの2乗平均値が5 nm以下であることを特徴とする窒化物半導体基板。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/20 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

Fターム (19件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EE03 ,  4G077EE09 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TK08 ,  5F045AA03 ,  5F045AB14 ,  5F045AC12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD15 ,  5F045AF04 ,  5F045BB14 ,  5F045EB13 ,  5F045HA01 ,  5F045HA06